技术参数/额定电压(DC)： | 200 V |
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技术参数/额定电流： | 30.0 A |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 75.0 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 125 W |
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技术参数/输入电容： | 1.60 nF |
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技术参数/栅电荷： | 38.0 nC |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 200 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 200 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 30.0 A |
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技术参数/上升时间： | 15.7 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1597pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 125 W |
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技术参数/下降时间： | 8.8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 125W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.4 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 15.75 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQP32N20C
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
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FQP34N20
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP34N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 0.06 ohm, 10 V, 5 V
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IRFB38N20DPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
44A,200V,N沟道功率MOSFET
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