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技术参数/漏源极电压(Vds):
20 V
封装参数/封装:
SOT-723
外形尺寸/封装:
其他/商品目录:
MOS(场效应管)
其他/漏源电压(Vdss):
20V
其他/连续漏极电流(Id)(25°C 时):
560mA
其他/栅源极阈值电压:
1.2V @ 1mA
其他/漏源导通电阻:
400mΩ @ 300mA,4V
其他/最大功率耗散(Ta=25°C):
150mW
其他/类型:
N沟道
其他/商品编号:
C373445
其他/封装规格:
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TEA1761T/N1,118
¥0
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212150
¥40.91
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