芯片AI顾问
技术参数/上升/下降时间： | 100 ns |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/正向电压： | 1.5 V |
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技术参数/耗散功率： | 295 mW |
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技术参数/隔离电压： | 1500 VDC |
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技术参数/正向电流： | 25 mA |
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技术参数/正向电压(Max)： | 1.8 V |
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技术参数/正向电流(Max)： | 18 mA |
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技术参数/下降时间(Max)： | 100 ns |
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技术参数/上升时间(Max)： | 100 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 295 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | DIP-8 |
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外形尺寸/封装： | DIP-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 125℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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