技术参数/额定电压(DC)： | 30.0 V |
|
技术参数/额定电流： | 80.0 A |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.0035 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 187 W |
|
技术参数/阈值电压： | 1.5 V |
|
技术参数/输入电容： | 10.5 nF |
|
技术参数/栅电荷： | 120 nC |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 30.0 V |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 80.0 A |
|
技术参数/上升时间： | 185 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 10500pF @15V(Vds) |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 187 W |
|
技术参数/下降时间： | 200 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 187W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.67 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4.7 mm |
|
外形尺寸/高度： | 16.3 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
|
物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
|
海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP60NF06
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP60NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价