技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.017 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 2 W |
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技术参数/阈值电压： | 1.7 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 30 V |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 420pF @15V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 900 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 5 mm |
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外形尺寸/宽度： | 3.99 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 电源管理, 计算机和计算机周边, 工业 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDS6984AS
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6984AS 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道 + 肖特基, 8.5 A, 30 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.7 V
|
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FDS6990A
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOIC-8 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6990A, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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