技术参数/额定电压(DC)： | -20.0 V |
|
技术参数/额定电流： | -1.00 A |
|
技术参数/耗散功率： | 3000 mW |
|
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 20 V |
|
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @500mA, 1V |
|
技术参数/额定功率(Max)： | 3 W |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 3000 mW |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 4 |
|
封装参数/封装： | TO-261-4 |
|
外形尺寸/封装： | TO-261-4 |
|
物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
其他/包装方式： | Tape |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 | SC-73 |
NXP BCP69-16,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 100 hFE
|
||
BCP69-16,115
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-261-4 |
NXP BCP69-16,115 单晶体管 双极, PNP, -20 V, 140 MHz, 625 mW, -1 A, 100 hFE
|
||
BCP69T1G
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOT-223 |
ON SEMICONDUCTOR BCP69T1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -20 V, 60 MHz, 1.5 W, -1 A, 375 hFE
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价