技术参数/频率: | 160 MHz |
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技术参数/针脚数: | 3 |
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技术参数/耗散功率: | 750 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 60 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 135 @100mA, 2V |
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技术参数/额定功率(Max): | 750 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 135 |
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技术参数/下降时间: | 0.07 µs |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 750 mW |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-226-3 |
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外形尺寸/长度: | 5.2 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4.19 mm |
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外形尺寸/高度: | 5.33 mm |
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外形尺寸/封装: | TO-226-3 |
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物理参数/材质: | Silicon |
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物理参数/工作温度: | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | 无铅 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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