技术参数/耗散功率： | 0.2 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 30 V |
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技术参数/增益： | 25 dB |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 30 @5mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 200 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 200 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-72-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-72-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Siemens Semiconductor (西门子) | 功能相似 |
Transistor,
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Guilin Strong Micro-Electronics | 功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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TY Semiconductor | 功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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MMBTH10
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TI (德州仪器) | 功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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Weitron Technology | 功能相似 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL | 功能相似 | SOT-23-3 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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MMBTH10
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UTC (友顺) | 功能相似 | SOT-323 |
RF Small Signal Bipolar Transistor,
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