技术参数/耗散功率： | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 60 V |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 1600pF @25V(Vds) |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 3.7W (Ta), 88W (Tc) |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/封装： | TO-262-3 |
|
外形尺寸/封装： | TO-262-3 |
|
物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
|
其他/产品生命周期： | Obsolete |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLZ34N,127
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 |
MOSFET RAIL PWR-MOS
|
|||
|
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3
|
|||
|
|
Philips (飞利浦) | 功能相似 |
N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
|
|||
IRLZ34N
|
Major Brands | 功能相似 | TO-220 |
N沟道增强模式的逻辑电平的TrenchMOS晶体管 N-channel enhancement mode Logic level TrenchMOS transistor
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价