技术参数/额定电压(DC)： | 500 V |
|
技术参数/额定电流： | 4.50 A |
|
技术参数/漏源极电阻： | 1.50 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 74.0 W |
|
技术参数/输入电容： | 610 pF |
|
技术参数/栅电荷： | 38.0 nC |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 500 V |
|
技术参数/漏源击穿电压： | 500V (min) |
|
技术参数/栅源击穿电压： | ±20.0 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 4.50 A |
|
技术参数/上升时间： | 16.0 ns |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220 |
|
外形尺寸/封装： | TO-220 |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DC Components | 功能相似 |
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
|
|||
|
|
Siemens Semiconductor (西门子) | 功能相似 |
SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)
|
|||
IRF830
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-220 |
N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 1.35ohm - 4.5A - TO-220 PowerMESH] MOSFET
|
||
IRF830PBF
|
VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220-3 |
VISHAY SILICONIX IRF830PBF 场效应管, MOSFET, N沟道
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价