技术参数/静态电流： | 56.0 µA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 100 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/精度： | ±0.6 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 4V ~ 30V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 100℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM35DM
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM35DM 温度传感器芯片, 电压, ± 0.4°C, 0 °C, +100 °C, SOIC, 8 引脚
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LM35DM/NOPB
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM35DM/NOPB 温度传感器芯片, 电压, ± 0.4°C, 0 °C, +100 °C, SOIC, 8 引脚
|
||
LM35DM/NOPB
|
TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM35DM/NOPB 温度传感器芯片, 电压, ± 0.4°C, 0 °C, +100 °C, SOIC, 8 引脚
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LM35DM/NOPB
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM35DM/NOPB 温度传感器芯片, 电压, ± 0.4°C, 0 °C, +100 °C, SOIC, 8 引脚
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LM35DMX/NOPB
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM35DMX/NOPB 温度传感器芯片, 电压, ± 1.5°C, 0 °C, SOIC, 8 引脚
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