技术参数/额定电压(DC): | 500 V |
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技术参数/额定电流: | 20.0 A |
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技术参数/漏源极电阻: | 270 mΩ |
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技术参数/极性: | N-Channel |
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技术参数/耗散功率: | 280 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 500 V |
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技术参数/漏源击穿电压: | 500V (min) |
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技术参数/栅源击穿电压: | ±20.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 20.0 A |
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技术参数/上升时间: | 59.0 ns |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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其他/包装方式: | Tube |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | Through Hole |
MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life MOSFET N-Chan 500V 20A, End of Life
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