技术参数/额定电压(DC): | 55.0 V |
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技术参数/额定电流: | 4.70 A |
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技术参数/耗散功率: | 2 W |
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技术参数/产品系列: | IRF7341 |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 55.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids): | 4.70 A |
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技术参数/上升时间: | 3.20 ns |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC |
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外形尺寸/封装: | SOIC |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IFA | 类似代替 |
INFINEON IRF7341PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
STMICROELECTRONICS STS4DNF60L 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4 A, 60 V, 0.045 ohm, 10 V, 1.7 V
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![]() |
Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
N沟道,60V,4.5A,56mΩ@10V
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.1 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 3 V
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IRF7341TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V
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