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型号: IRF510
描述: HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54Ω, ID = 5.6A
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技术参数/额定电压(DC):

100 V

 

技术参数/额定电流:

5.60 A

 

技术参数/漏源极电阻:

540 mΩ (max)

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

43.0 W

 

技术参数/漏源击穿电压:

100V (min)

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

5.60 A

 

技术参数/上升时间:

16.0 ns

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
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MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
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IRF510PBF IRF510PBF Vishay Intertechnology 类似代替 TO-220
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
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IRF540N IRF540N Infineon (英飞凌) 功能相似 TO-220-3
TO-220AB N-CH 100V 33A
IRFZ14PBF IRFZ14PBF VISHAY (威世) 功能相似 TO-220-3
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Siliconix 功能相似 TO-220-3
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF IRFZ14PBF Infineon (英飞凌) 功能相似
功率MOSFET Power MOSFET
IRFZ14PBF IRFZ14PBF LiteOn (光宝) 功能相似 TO-220-3
功率MOSFET Power MOSFET
IRFZ14PBF IRFZ14PBF Vishay Precision Group 功能相似 TO-220
功率MOSFET Power MOSFET
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