技术参数/耗散功率： | 250 mW |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 220 |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 220 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-236 |
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外形尺寸/封装： | TO-236 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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其他/包装方式： | Cut Tape (CT) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2014/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BC857CE6327
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | SOT-23 |
SOT-23 PNP 45V 0.1A
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SBC857BWT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-3 |
单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE
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先科ST (先科) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
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AUK Semiconductor (韩国光电子) | 功能相似 | SOT-23 |
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 100mA; 0.25W(1/4W); SOT23
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BC857B
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | TO-236 |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 0.25W(1/4W) Automotive 3Pin SOT-23 T/R
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BC856B
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1Element, PNP, Silicon, TO-236, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
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BC33725TA
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
ON Semiconductor BC33725TA , NPN 晶体管, 800mA, Vce=45 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 TO-92封装
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