技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.6 Ω |
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技术参数/耗散功率： | 40 W |
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技术参数/阈值电压： | 5 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 200 V |
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技术参数/上升时间： | 5.6 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 170pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 40 W |
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技术参数/下降时间： | 12.8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 40000 mW |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 消费电子产品, 电源管理, 照明 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Renesas Electronics (瑞萨电子) | 功能相似 |
硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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