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型号: FCA16N60N
描述: SupreMOS® MOSFET,Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。 与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比,其低 RDS(接通)和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外,SupreMOS 系列为相同的 RDS(接通)提供低栅极电荷,提供极佳的切换性能,切换和传导损耗降低 20%,从而获得更高的效率。 这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-3-3
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

0.17 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

134.4 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

600 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

16.0 A, 20.0 A

 

技术参数/上升时间:

15.5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2170pF @100V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

134.4 W

 

技术参数/下降时间:

20.2 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

134.4 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-3-3

 

外形尺寸/长度:

15.8 mm

 

外形尺寸/宽度:

5 mm

 

外形尺寸/高度:

20.1 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-3-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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