温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: FDB047N10
描述: PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
商品二维码
封 装: TO-263-3
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
13.4  元 13.4元
5+:
¥ 15.6780
50+:
¥ 15.0080
200+:
¥ 14.6328
500+:
¥ 14.5390
1000+:
¥ 14.4452
2500+:
¥ 14.3380
5000+:
¥ 14.2710
7500+:
¥ 14.2040
数量
5+
50+
200+
500+
1000+
价格
15.6780
15.0080
14.6328
14.5390
14.4452
价格 15.6780 15.0080 14.6328 14.5390 14.4452
起批量 5+ 50+ 200+ 500+ 1000+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(5976) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
芯片AI助手  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0039 Ω

 

技术参数/耗散功率:

375 W

 

技术参数/阈值电压:

3.5 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/上升时间:

386 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

11500pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

375 W

 

技术参数/下降时间:

244 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

375 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

11.33 mm

 

外形尺寸/高度:

4.83 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

通信与网络, 电源管理, 电机驱动与控制

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空