技术参数/额定功率： | 27 W |
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技术参数/针脚数： | 8 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0077 Ω |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 2.5 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 34 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 12A |
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技术参数/上升时间： | 4.4 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1110pF @15V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 5.4 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | PG-TDSON-8 |
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外形尺寸/长度： | 5.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 5.15 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.27 mm |
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外形尺寸/封装： | PG-TDSON-8 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | VRD/VRM, Onboard charger, Mainboard |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BSC080N03LSGATMA1
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | PG-TDSON-8 |
INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V
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