技术参数/漏源极电阻： | 0.0089 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 158 W |
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技术参数/阈值电压： | 2.3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/上升时间： | 40 ns |
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技术参数/下降时间： | 80 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220 |
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外形尺寸/封装： | TO-220 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Unknown |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STP75NF75
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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