技术参数/频率： | 3 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 100 V |
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技术参数/额定电流： | 1.00 A |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 1.56 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 100 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 15 @1A, 4V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.56 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1560 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
Trans GP BJT NPN 100V 1A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
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