技术参数/耗散功率： | 350 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 160 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 80 @10mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 350 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 350 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.3 mm |
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外形尺寸/高度： | 0.97 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-23-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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UMW | 完全替代 | SOT-23-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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MMBT5551
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | SOT-23-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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MMBT5551LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBT5551LT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 160 V, 225 mW, 600 mA, 80 hFE
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SMMBT5551LT1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor ### 标准 带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。 ### 双极性晶体管，On Semiconductor ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别： 小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
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GMR Semiconductor (金誉半导体) | 完全替代 | SOT-23-3 |
高电压晶体管 High Voltage Transistors
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