技术参数/频率： | 10 MHz |
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技术参数/额定电压(DC)： | 400 V |
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技术参数/额定电流： | 1.00 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 15 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 400 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 30 @300mA, 10V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 150 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 1.56 W |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 10 |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1560 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.1 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.3 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MJD50T4G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-252-3 |
ON SEMICONDUCTOR MJD50T4G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 400 V, 10 MHz, 15 W, 1 A, 30 hFE
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MJD50TF
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-252-3 |
NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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