技术参数/频率: | 100 MHz |
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技术参数/额定电压(DC): | 120 V |
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技术参数/额定电流: | 50.0 mA |
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技术参数/极性: | NPN |
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技术参数/耗散功率: | 0.3 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 120 V |
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技术参数/集电极最大允许电流: | 0.05A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 400 @1mA, 6V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE): | 1200 |
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技术参数/额定功率(Max): | 300 mW |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 300 mW |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | SOT-23-3 |
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外形尺寸/长度: | 2.9 mm |
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外形尺寸/宽度: | 1.3 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.04 mm |
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外形尺寸/封装: | SOT-23-3 |
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物理参数/工作温度: | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Active |
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其他/包装方式: | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOT-23-3 |
小信号 NPN 晶体管,高于 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ON Semiconductor FJV1845FMTF , NPN 晶体管, 50 mA, Vce=120 V, HFE:150, 110 MHz, 3引脚 SOT-23封装
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