技术参数/容差： | ±5 % |
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技术参数/正向电压： | 1.1V @200mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/测试电流： | 7.5 mA |
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技术参数/稳压值： | 6.2 V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-35-2 |
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外形尺寸/长度： | 5.08 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-35-2 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bag |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N821A
|
Microsemi (美高森美) | 功能相似 | DO-35-2 |
Zener Diode Temperature Compensated 5.9-6.5V 0.5W(1/2W) Do-7 Case 0.01 Tc
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||
1N821A-1
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | DO-35 |
6.2与6.55伏温度补偿6.2和6.55伏温度补偿 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated 6.2 & 6.55 Volt Temperature Compensated
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