技术参数/耗散功率: | 15 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds): | 100 V |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max): | 800mW (Ta), 15W (Tc) |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-39 |
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外形尺寸/封装: | TO-39 |
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物理参数/工作温度: | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Obsolete |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Contains Lead |
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符合标准/军工级: | Yes |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N6782
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N6782
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N6782
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SEME-LAB | 功能相似 | TO-39 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N6782
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-205 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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JANTXV2N6796
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
N-channel enhancement mode MOSFET power transistor
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JANTXV2N6796
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-39 |
N-channel enhancement mode MOSFET power transistor
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