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型号: JAN2N6782
描述: 这家2N6782的, 2N6784和2N6786开关晶体管是合格的军人到JANTXV水平高可靠性应用。 This family of 2N6782, 2N6784 and 2N6786 switching transistors are military qualified up to the JANTXV level for high-reliability applications.
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技术参数/耗散功率:

15 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

800mW (Ta), 15W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-39

 

外形尺寸/封装:

TO-39

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

符合标准/军工级:

Yes

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
2N6782 2N6782 Semelab 功能相似 TO-39
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N6782 2N6782 International Rectifier (国际整流器) 功能相似 TO-39
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
PDF
2N6782 2N6782 SEME-LAB 功能相似 TO-39
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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2N6782 2N6782 Infineon (英飞凌) 功能相似 TO-205
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
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JANTXV2N6796 JANTXV2N6796 Semicoa Semiconductor 功能相似 TO-39
N-channel enhancement mode MOSFET power transistor
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JANTXV2N6796 JANTXV2N6796 International Rectifier (国际整流器) 功能相似 TO-39
N-channel enhancement mode MOSFET power transistor
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