技术参数/频率： | 143 MHz |
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技术参数/电源电压(DC)： | 3.30 V, 3.60 V (max) |
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技术参数/时钟频率： | 143MHz (max) |
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技术参数/存取时间： | 5.5 ns |
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技术参数/内存容量： | 256000000 B |
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技术参数/电源电压： | 3V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 3 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 86 |
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封装参数/封装： | TSOP-86 |
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外形尺寸/宽度： | 10.16 mm |
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外形尺寸/封装： | TSOP-86 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS42S32800D-6TL
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ISSI | 完全替代 | TSOP48 |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II
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IS42S32800D-6TL
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 完全替代 | TSOP-86 |
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 86Pin TSOP-II
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IS42S32800D-7TL
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ISSI | 类似代替 | TSOP48 |
RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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