技术参数/额定电压(DC)： | -150 V |
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技术参数/额定电流： | -13.0 A |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.58 Ω |
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技术参数/极性： | P-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 110 W |
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技术参数/产品系列： | IRFR6215 |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 150 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | -13.0 A |
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技术参数/上升时间： | 36.0 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 860pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 110 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252-3 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.39 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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IFC | 类似代替 |
INFINEON IRFR6215TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -150 V, 295 mohm, -10 V, -4 V
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IRFR6215TRLPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-252-3 |
单 P沟道 150 V 110 W 66 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 - DPAK
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