技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.022 Ω |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 110 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 45A |
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技术参数/上升时间： | 59 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1440pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 28 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 110 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-252 |
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外形尺寸/长度： | 6.73 mm |
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外形尺寸/宽度： | 6.22 mm |
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外形尺寸/高度： | 2.39 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-252 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Rail, Tube |
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其他/制造应用： | 电源管理, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STD26NF10
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
N沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
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IRFR2607ZTRPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | DPAK |
N沟道 75V 42A
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