技术参数/额定功率： | 300 W |
|
技术参数/针脚数： | 3 |
|
技术参数/漏源极电阻： | 0.0035 Ω |
|
技术参数/极性： | N-Channel |
|
技术参数/耗散功率： | 300 W |
|
技术参数/阈值电压： | 3 V |
|
技术参数/漏源极电压(Vds)： | 120 V |
|
技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 120A |
|
技术参数/上升时间： | 52 ns |
|
技术参数/输入电容(Ciss)： | 10400pF @25V(Vds) |
|
技术参数/下降时间： | 21 ns |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 300 W |
|
封装参数/安装方式： | Through Hole |
|
封装参数/引脚数： | 3 |
|
封装参数/封装： | TO-220-3 |
|
外形尺寸/长度： | 10.36 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 4.57 mm |
|
外形尺寸/高度： | 15.95 mm |
|
外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
|
其他/产品生命周期： | Active |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
其他/制造应用： | 便携式器材, 电机驱, Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable De, Computers & Computer Peripherals, 电源管理, Power Management |
|
符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Lead Free |
|
符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
|
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB4110PBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB4110PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 4.5 mohm, 10 V, 4 V
|
||
FDP047N10
|
Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 | TO-220-3 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价