技术参数/耗散功率： | 3.13 W |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 500 V |
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技术参数/上升时间： | 25 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 270pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 3.13 W |
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技术参数/下降时间： | 30 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 63 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 9.65 mm |
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外形尺寸/宽度： | 10.67 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.83 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQB1P50TM
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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