技术参数/耗散功率： | 300W (Tc) |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 900 V |
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技术参数/上升时间： | 130 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 3290pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 85 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 300W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-3-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-3-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FQA11N90C_F109
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-3 |
QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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STW12NK90Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V
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