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描述: UltraFET® MOSFET,Fairchild Semiconductor UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: TO-252-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/漏源极电阻:

16 mΩ

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

135 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

75 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

75 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

9A

 

技术参数/上升时间:

54 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1874pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

22 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

135W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/长度:

6.73 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.39 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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