技术参数/通道数： | 2 |
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技术参数/漏源极电阻： | 70 mΩ |
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技术参数/极性： | N-CH |
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技术参数/耗散功率： | 960 mW |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 20 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 3A |
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技术参数/上升时间： | 7 ns |
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技术参数/下降时间： | 7 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/封装： | SSOT-6 |
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外形尺寸/长度： | 2.9 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.1 mm |
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外形尺寸/封装： | SSOT-6 |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Rochester (罗切斯特) | 功能相似 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC6401N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 3 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 900 mV
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