| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FDC658AP
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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FDC658AP
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FDC658P 系列 30 V 50 mOhm 单 P 沟道 逻辑电平 PowerTrench Mosfet SSOT-6
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FDC637BNZ
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | SSOT |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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FDC637BNZ
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDC634P
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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FDC637BNZ
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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FDC655BN
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 V
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