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型号: FDC658P
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC658P 晶体管, MOSFET, P沟道, -4 A, -30 V, 0.041 ohm, -10 V, -1.7 V
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封 装: TSOT-23-6
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC):

-30.0 V

 

技术参数/额定电流:

-4.00 A

 

技术参数/针脚数:

6

 

技术参数/漏源极电阻:

0.041 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

1.6 W

 

技术参数/输入电容:

750 pF

 

技术参数/栅电荷:

8.00 nC

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

-30.0 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

-4.00 A

 

技术参数/上升时间:

14 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

750pF @15V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

800 mW

 

技术参数/下降时间:

16 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1.6W (Ta)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

6

 

封装参数/封装:

TSOT-23-6

 

外形尺寸/长度:

3 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.7 mm

 

外形尺寸/高度:

1 mm

 

外形尺寸/封装:

TSOT-23-6

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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