技术参数/额定电压(DC)： | 3.15 kV |
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技术参数/电容： | 0.001 µF |
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技术参数/电介质特性： | E |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -25 ℃ |
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技术参数/额定电压： | 3150 V |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚间距： | 7.5 mm |
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外形尺寸/高度： | 6.0 mm |
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外形尺寸/直径： | Φ7.0mm |
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外形尺寸/引脚间距： | 7.5 mm |
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物理参数/材质： | E |
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物理参数/工作温度： | -25℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Bulk |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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DEBE33F102ZP3A
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muRata (村田) | 完全替代 | Radial, Disc |
DEB 系列 树脂涂层高压盘式陶瓷电容器，特别适合开关电路中的高频去耦。 ### 注 不适于电源抑制使用，请查看 X 和 Y 抑制电容器的部分。 ### 高压盘式陶瓷
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