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型号: CGHV59350F
描述: RF JFET Transistors 5.2-5.9GHz 350W Gain typ. 10.5dB GaN
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包装方式: Tray
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技术参数/增益:

11 dB

 

技术参数/工作温度(Max):

225 ℃

 

封装参数/引脚数:

3

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tray

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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