封装参数/封装： | SOT-223 |
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外形尺寸/封装： | SOT-223 |
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其他/最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage： | 200V |
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其他/最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage： | 14V |
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其他/最大漏极电流Id Drain Current： | 650mA/0.65A |
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其他/源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance： | 2Ω/Ohm @650mA,10V |
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其他/开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage： | 0.8-2V |
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其他/耗散功率Pd Power Dissipation： | 1.8W |
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其他/规格书PDF： | __ |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Siemens Semiconductor (西门子) | 功能相似 | SOT-223 |
INFINEON BSP297 晶体管, MOSFET, N沟道, 600 mA, 200 V, 2 ohm, 10 V, 1.4 V
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