技术参数/电源电压(DC)： | 3.30 V, 3.60 V (max) |
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技术参数/位数： | 8 |
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技术参数/存取时间： | 55 ns |
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技术参数/内存容量： | 1000000 B |
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技术参数/存取时间(Max)： | 55 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 40 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 2.5V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 2.5 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 32 |
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封装参数/封装： | TSOP-32 |
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外形尺寸/封装： | TSOP-32 |
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物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： |
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海关信息/香港进出口证： | NLR |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IS62WV1288BLL-55TLI
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Integrated Silicon Solution(ISSI) | 类似代替 | TSOP-32 |
RAM，ISSI **ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）
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