技术参数/供电电流： | 100 mA |
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技术参数/位数： | 32 |
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技术参数/存取时间： | 5.4 ns |
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技术参数/存取时间(Max)： | 8ns, 5.4ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 3V ~ 3.6V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 3.6 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 3 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 86 |
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封装参数/封装： | TSOP-86 |
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外形尺寸/封装： | TSOP-86 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | PB free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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SII (精工) | 类似代替 |
RAM， ISSI **ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口，具有可编程 CAS 等待时间（2/3 时钟）。 可使用管道流程实现高速数据传输，且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能，且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列，工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号，请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列：连续/交错；可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
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