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描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 100 V, 0.053 ohm, 10 V, 2.8 V
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.053 Ω

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

29 W

 

技术参数/阈值电压:

2.8 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

16A

 

技术参数/上升时间:

1 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

490pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

29 W

 

技术参数/下降时间:

5 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

29000 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

PG-TDSON-8-4

 

外形尺寸/封装:

PG-TDSON-8-4

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

LED and Body lighting, Direct Fuel Injection, Solenoid control

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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