技术参数/上升/下降时间： | 24ns, 10ns |
|
技术参数/输出电流： | 50 mA |
|
技术参数/通道数： | 1 |
|
技术参数/正向电压： | 1.5 V |
|
技术参数/耗散功率： | 85 mW |
|
技术参数/上升时间： | 0.024 µs |
|
技术参数/隔离电压： | 3750 Vrms |
|
技术参数/正向电流： | 20 mA |
|
技术参数/正向电压(Max)： | 1.75 V |
|
技术参数/正向电流(Max)： | 20 mA |
|
技术参数/下降时间： | 0.01 µs |
|
技术参数/工作温度(Max)： | 85 ℃ |
|
技术参数/工作温度(Min)： | -40 ℃ |
|
技术参数/耗散功率(Max)： | 85 mW |
|
技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 5.5V |
|
封装参数/安装方式： | Surface Mount |
|
封装参数/引脚数： | 8 |
|
封装参数/封装： | SOIC-8 |
|
外形尺寸/长度： | 5.08 mm |
|
外形尺寸/宽度： | 3.94 mm |
|
外形尺寸/高度： | 3.18 mm |
|
外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
|
物理参数/工作温度： | -40℃ ~ 85℃ |
|
其他/产品生命周期： | Unknown |
|
其他/包装方式： | Tube |
|
符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
|
符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价