芯片AI顾问
技术参数/耗散功率： | 250 W |
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技术参数/上升时间： | 8 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 8870pF @20V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 250000 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 9.25 mm |
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外形尺寸/宽度： | 10.26 mm |
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外形尺寸/高度： | 19.7 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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其他/产品生命周期： | 正在供货 |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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CSD18513Q5A
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TI (德州仪器) | 功能相似 | VSONP-8 |
CSD18513Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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CSD18512Q5B
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TI (德州仪器) | 功能相似 | 8-VSON-CLIP |
CSD18512Q5B、N 通道 NexFET 功率 MOSFET
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CSD18511Q5A
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TI (德州仪器) | 功能相似 | PowerTDFN-8 |
CSD18511Q5A 40V N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
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