技术参数/频率: | 300 MHz |
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技术参数/额定电压(DC): | 65.0 V |
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技术参数/额定电流: | 100 mA |
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技术参数/极性: | NPN |
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技术参数/耗散功率: | 0.5 W |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极): | 65 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE): | 110 @2mA, 5V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE): | 800 |
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技术参数/额定功率(Max): | 500 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE): | 110 |
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技术参数/工作温度(Max): | 150 ℃ |
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封装参数/安装方式: | Through Hole |
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封装参数/引脚数: | 3 |
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封装参数/封装: | TO-226-3 |
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外形尺寸/封装: | TO-226-3 |
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物理参数/工作温度: | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期: | Obsolete |
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其他/包装方式: | Bulk |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准: | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2014/12/17 |
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海关信息/ECCN代码: | EAR99 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TO-92-3 |
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Super E-Line
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![]() |
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-226-3 |
Transistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92
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