技术参数/极性： | PNP |
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技术参数/耗散功率： | 625 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 30 V |
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技术参数/集电极最大允许电流： | 1A |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 30000 @20mA, 2V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 625 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/增益带宽： | 200 MHz |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 625 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-226-3 |
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外形尺寸/高度： | 5.33 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-226-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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BC516_D27Z
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Fairchild (飞兆/仙童) | 完全替代 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC516_D27Z 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 625 mW, -1 A, 30000 hFE
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BC516_D27Z
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC516_D27Z 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 625 mW, -1 A, 30000 hFE
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