技术参数/耗散功率： | 800 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @150mA, 10V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 325 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 800 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-5-3 |
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外形尺寸/封装： | TO-5-3 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N2219A
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Rectron | 完全替代 | TO-39 |
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
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Semelab | 完全替代 | TO-205 |
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
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New Jersey Semiconductor | 完全替代 | 3 |
小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-39, 3 PIN
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