技术参数/极性： | NPN |
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技术参数/耗散功率： | 800 mW |
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技术参数/集电极击穿电压： | 75.0 V |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 100 @150mA, 10V |
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技术参数/最大电流放大倍数(hFE)： | 100 |
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技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | TO-39-3 |
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外形尺寸/长度： | 9.4 mm |
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外形尺寸/宽度： | 9.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 6.6 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-39-3 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N1711
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-39-3 |
MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE
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2N1711
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5 |
MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE
|
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2N1711
|
ETC | 功能相似 |
MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE
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2N1711
|
CDIL | 功能相似 |
MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE
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2N1711
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Semelab | 功能相似 | TO-39 |
MULTICOMP 2N1711 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 70 MHz, 3 W, 500 mA, 35 hFE
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2N1711LEADFREE
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
TO-39 NPN 50V 0.5A
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JANTX2N1711
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5 |
NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
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