技术参数/耗散功率： | 600 mW |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 50 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 20 @150mA, 10V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 2 W |
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技术参数/工作温度(Max)： | 200 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 600 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-39 |
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外形尺寸/封装： | TO-39 |
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物理参数/材质： | Silicon |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Box |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3251
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-18 |
Transistor NPN 2N3251 MOTOROLA miliampere=200 TO18
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TI (德州仪器) | 功能相似 |
Trans GP BJT PNP 35V 0.6A 3Pin TO-39 Box
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2N1131
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-39 |
Trans GP BJT PNP 35V 0.6A 3Pin TO-39 Box
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