技术参数/频率： | 0.4 MHz |
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技术参数/电源电压(DC)： | 5.00 V, 5.00 V (max) |
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技术参数/工作电压： | 4.5V ~ 5.5V |
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技术参数/供电电流： | 3 mA |
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技术参数/时钟频率： | 400 kHz |
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技术参数/存取时间： | 3500 ns |
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技术参数/内存容量： | 125 B |
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技术参数/输入电容： | 10 pF |
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技术参数/上升时间： | 1000 ns |
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技术参数/下降时间： | 300 ns |
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技术参数/存取时间(Max)： | 900 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 70 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 0 ℃ |
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技术参数/电源电压： | 4.5V ~ 5.5V |
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技术参数/电源电压(Max)： | 5.5 V |
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技术参数/电源电压(Min)： | 4.5 V |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 8 |
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封装参数/封装： | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度： | 4.9 mm |
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外形尺寸/封装： | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度： | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Rochester (罗切斯特) | 完全替代 |
24C01C I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。 ### 特点 单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01C/P
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Microchip | 完全替代 | DIP8 |
24C01C I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。 ### 特点 单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01C/P
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Microchip (微芯) | 完全替代 | PDIP-8 |
24C01C I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。 ### 特点 单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01C/P
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
24C01C I²C™ 串行 EEPROM Microchip 24C01C 系列设备是 1 Kbit EEPROM 芯片，按照单块 128 x 8 字节内存组织，并具有 I2C 兼容的 2 线串行接口。 ### 特点 单电源，工作电压为 4.5V 至 5.5V 低功率 CMOS 技术 – 读取电流 1 mA，待机电流 5 μA（两者均为最大值） 2 线串行接口，I2C® 兼容 级联多达八台设备 Schmitt 触发器输入，用于噪音抑制 输出斜率控制，用于消除地面颤动 100 kHz 和 400 kHz 时钟兼容性 最大页面写入时间为 1 ms 自定时擦除/写入周期 16 字节页面写入缓冲器 超过 100 万个擦除/写入周期 数据保留 >200 年 ### EEPROM 串行存取 - Microchip
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24C01CT-I/MNY
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Microchip (微芯) | 功能相似 | TDFN-8 |
电可擦除可编程只读存储器 1K 128 X 8 SERIAL EE IND
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24C01CT/SN
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Microchip (微芯) | 类似代替 | SOIC-8 |
EEPROM Serial-I2C 1Kbit 128 x 8 5V 8Pin SOIC N T/R
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